IGCT器件 | 具有双p基区门阴极结构的门极换流晶闸管及其制备方法

申请号：CN201510947431.3

申请人：清华大学

发明人：吕纲;曾嵘;余占清;刘佳鹏

法律状态：已授权

摘要：本发明涉及一种具有双p基区门阴极结构的门极换流晶闸管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，该门极换流晶闸管包括一个以上的元胞，每个元胞包括p+发射极、n’缓冲区、n‑衬底、p基区1、p基区2、p+短基区、n+发射极和阳极金属电极、门极金属电极、阴极金属电极；所述p+发射极、n’缓冲区、n‑衬底、p基区1、p基区2、p+短基区、n+发射极依次排布；所述n+发射极和门极表面，该方法采用传统的沟槽工艺或摒弃挖槽工艺，使得门极金属电极和阴极金属电极处于硅片表面的同一平面。本发明的门极换流晶闸管，由于增加了一层p基区，可以保证J3结较大的反向击穿电压，进而提高外接反向电源的电压，从而提高换流速度，增大GCT芯片的关断能力。

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