IGCT器件 | 一种应用于混合式直流断路器的门极换流晶闸管芯片

申请号：CN201510119436.7

申请人：清华大学

发明人：曾嵘;余占清;吕纲;陈政宇;朱童;张翔宇

法律状态：已授权

摘要：本发明涉及一种应用于混合式直流断路器的门极换流晶闸管芯片，属于半导体集成电路技术领域，该芯片包括阴极金属电极、门极金属电极和阳极金属电极，所述阴极、门极和阳极，均通过金属电极同外在的驱动电路相连接；该芯片的阴极面由多个同心的阴极环、一个同心的门极接触环和多个阴极梳条构成；同一阴极环上梳条的元胞的p型基区具有相同深度，不同阴极环上梳条的元胞的p基区深度根据该阴极环到门极接触环的距离进行调整：与门极接触环距离越远的阴极环上梳条的元胞的p基区深度越深。不同阴极环上梳条的元胞的p基区深度与n基区深度之和相同。该芯片可克服已有的由于电感分布不均衡导致的换流时间不均衡的问题，提高大直径IGCT的电流关断能力。

更多详情可从专利公开检索系统获取，参考链接如下：

http://cprs.patentstar.com.cn/Search/Detail?ANE=6EAA9DIC3BBAAEIA6DCA0AAA5AEA3CAAFIFA9GFG5CAA8CAA