中心面向新能源发电和直流电网应用需求，研发新一代大功率半导体器件IGCT-Plus，实现核心器件国产化，从源头保障了我国高端功率器件供应链安全。IGCT-Plus 涵盖 4500~8000V/4000~10000A系列化产品，支持定制化，具有黑启动功能、本征安全的抗爆和失效短路特性，多个性能指标世界领先，且成本大幅降低。

一、产品优势

IGCT(集成门极换流晶闸管)是一种门极可控制关断的开关器件，兼具 GTO与IGBT优点，具有阻断电压高、功率容量大、通态损耗低、可靠性高等优点，是中、高压大功率应用领域的优选功率器件之一。

►高压大容量：IGCT由晶闸管衍生，耐压高;芯片面积利用率高，通流能力强，能提供更高的能量转换效率。

►通态损耗低：IGCT 在高压大电流的应用场景下具有显著的低导通损耗优势。

►可靠性高：整晶圆器件，压装结构简洁，不涉及芯片并联和细小组件配合，稳定性高;具有失效后长期可靠短路的特性，无开路风险。

►成本低：IGCT沿用晶闸管工艺技术路线，制造工艺成熟，工序步骤简单，成本低。

二、定制化研发能力

►过压可控击穿IGCT：研发出过压可控穿通的 CP-IGCT，具有稳定的过压击穿短路能力，实现模块过压的本征安全防护，无爆裂风险。

►单次大电流关断IGCT：针对单次关断大电流的应用工况，研发出电流关断能力 17kA 以上的Hi-IGCT。

►直流输电用双向阻断IGCT：针对直流输电系统换相失败问题，研制世界首个 8kV 双向阻断IGCT实现辅助换相和强迫换流的新型换流方法，大幅提升多馈入直流系统安全稳定运行水平。

►高可靠IGCT 门极驱动：提出门极主动旁路的 IGCT 黑启动方法;突破 10us 超快速关断失效检测技术，死区时间内完成直通保护;研发出超低换流电感的分体式门极驱动，降低调试和运维难度。

三、系列化IGCT-Plus产品

三、在研IGCT-Plus产品

►4500V/12000A非对称IGCT-Plus 器件

►6500V/10000A非对称IGCT-Plus 器件

►6500V/10000A双向阻断IGCT-Plus 器件

四、应用场景