功率半导体器件研发工程师

清华大学能源互联网研究院直流研究中心于2015年成立。中心依托电机系的优势科研力量，在清华大学能源互联网创新研究院（北京院）和清华四川能源互联网研究院（四川院）组建了兼具高水平学术研究能力、前瞻性技术创新能力、实用化产业发展能力的研究团队。围绕大功率半导体器件，面向高压直流输电、中低压直流配用电技术领域，从器件、设备和系统三个层面，开展理论研究、技术攻关和工程建设，致力于成为直流电网的核心理念传播者、理论技术引领者、标准与应用实践者，为新能源革命奠定坚实基础。

目前中心规模80余人，其中包括教授1名、副教授/副研究员8名、全职研发人员50余名、博士研究生20余名。近年来中心承担国家自然科学基金项目、科技部重点研发计划等国家级科研项目20余项，相关成果在张北直流电网、珠海“互联网+”智慧能源示范项目、东莞直流配电工程等多个国家级示范工程中得到应用。详情可浏览清华大学直流研究中心网站。

岗位职责：

1. 从事大功率半导体器件的设计和开发工作，具体工作分为器件设计、器件仿真、芯片工艺研发、工艺整合、封装设计与工艺研发、器件测试等几类；

2. 负责大功率半导体器件失效机理和性能调控方法研究、芯片结构设计和参数优化、性能仿真、工艺参数仿真、版图设计等相关工作；（器件设计）

3. 负责半导体物理机理建模、模型参数校准、器件特性仿真、多物理场快速求解方法、求解器的开发与优化、功率半导体仿真软件开发等相关工作；（器件仿真）

4. 负责大功率半导体芯片工艺研发（光刻、注入、扩散、刻蚀、CVD、合金等）、缺陷检测、工艺异常原因分析与解决、工艺质量提升、配合工艺进程管理等相关工作；（工艺研发）

5. 负责制定功率半导体芯片研发计划、跟踪流片进度、衔接芯片设计与工艺流片，负责工艺优化、制造稳定性和良率提升，统计制程管理，组织协调工艺各环节问题；（工艺整合）

6. 负责功率半导体及集成电路芯片封装设计、封装多物理场分析、电磁兼容分析、封装工艺设计与开发、封装制造、性能与可靠性测试等；（封装研发）

7. 负责测试器件各类性能，包括半导体微观结构量测、电气参数测试、失效特征分析、可靠性测试以及面向各类应用的等效工况测试等，并负责搭建、操作、维护器件实验平台；（器件测试）

8. 负责功率半导体技术支持及应用对接、工艺制造平台运行、设备维护管理等相关工作。

任职要求：

 1. 本科及以上学历，电气工程、微纳电子、材料物理与化学、计算机、软件工程、机械工程等相关专业；

2. 熟悉功率半导体器件（如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理；

3. 熟悉Sentaurus、Silvaco等半导体设计仿真软件、熟悉半导体芯片及封装工艺者优先

4. 熟悉半导体设计仿真、工业软件开发经历者优先；

5. 有半导体产线或中试线管理、半导体工艺设备运维经验者优先；

6. 具有团队协作意识，工作认真，责任心强，具有较强的解决问题能力和交流沟通能力，工作认真、有条理，执行能力强。
 

福利待遇：

1. 具有行业竞争力的薪酬待遇，科学的绩效评估体系。

2. 完善的福利保障体系：高标准缴纳五险一金、绩效奖金、年终奖金、带薪年假、定期体检、团体活动等。

3. 以科研人员为核心的人才服务理念，提供员工餐厅、班车接送、加班宿舍、人才公寓、子女入学等方面的支持。

应聘方式

1.简历投递邮箱：dc.thu@vip.163.com，简历命名格式为：姓名+学校+投递岗位名称+联系电话

2.联系电话：韩老师13811188645